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        導致晶間腐蝕的因素

        來源:www.seo-w.com 時間:2014/1/22 9:51:47 瀏覽:


          晶界區雜質或第二相選擇性溶解理論認為:晶界的雜質或晶間分布的第二相優先發生腐蝕溶解,或者第二相本身就構成腐蝕電池,其中某一組分發生選擇性溶解,導致了晶間腐蝕。如晶界區雜質偏聚在強氧化性介質中會發生選擇性溶解,引起晶間腐蝕。又如對于超低碳不銹鋼,本已不具有富鉻碳化物析出的條件,但是0相0組成的金屬間(化合物)沿晶析出并且發生自身的選擇性溶解,引發晶間腐蝕。
          無論是奧氏體不銹鋼、鐵素體不銹鋼或奧氏體-鐵素體容器板,都可能出現晶間腐蝕。奧氏體和雙相不銹鋼晶間腐蝕的敏化加熱溫度范圍是450?8501;而鐵素體不銹鋼則在8501以上。

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